Новый безвредный для окружающей среды сплав, состоящий из 50 атомов алюминия, связанных с 50 атомами сурьмы, может стать материалом для создания памяти на основе фазовых переходов (phase-change memory, PCM) следующего поколения. PCM-память имеет более высокие показатели плотности хранения информации и может обеспечить более высокую скорость работы, благодаря чему она сможет конкурировать с современной флэш-памятью и стать будущей базой для технологий длительного хранения информации.

Основой PCM-памяти являются материалы, способные под влиянием воздействия электрического импульса изменять свою структуру от беспорядочной аморфной структуры до кристаллической упорядоченной структуры, и наоборот. При этом, в аморфном состоянии материал обладает высоким электрическим сопротивлением и низким сопротивлением в его кристаллическом состоянии, что соответствует уровням логических 0 и 1 хранимых данных.

С ячейками флэш-памяти начинаются пробле ... Читать дальше »